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Cada vez es ms creciente el inters en las tecnologas BIPV. A menudo gracias a los desarrolladores de tecnologa fotovoltaica, quienes buscan mejorar la eficiencia de la tecnologa integrable.




Un claro ejemplo es el del fabricante HANERGY, uno de los primeros fabricantes del mundo, quienes anunciaron hace unos meses que han optimizado el mdulo flexible de silicio para dar respuesta al creciente mercado BIPV.



El mdulo fue lanzado en 2018 y  desde entonces ha sido continuamente actualizado y optimizado. Este producto ofrece una gran flexibilidad y una alta eficiencia (del 21,8%) para poder adaptarse a diferentes escenarios segn las necesidades de cada proyecto o cliente en cualquier parte del mundo: Europa, Japn, Australia, etc.



El mdulo semi flexible basa su funcionamiento en la tecnologa Metal Wrap Through (MWT). MWT es una tecnologa avanzada de contacto posterior que permite aumentar la eficiencia de la clula solar y del mdulo un 3% respecto a los mdulos convencionales.


Se consigue eliminando la barra colectora de la parte delantera (bus bars) y desplegando los electrodos positivo y negativo en la parte trasera.




Un mdulo de 370 W est basado en silicio y tiene un peso de 6kg, de 4 a 5 veces menos que el mdulo convencional dotndolo as de una gran ligereza. Y adems tiene un espesor de 1,4mm mientras que el convencional tiene un grosor de entre 35 y 44mm permitiendo una increble flexibilidad respecto a un panel convencional.


Todo lo anterior hace que el mdulo semi flexible sea especialmente adecuado para ser aplicado en BIPV en muchos escenarios donde la ligereza es fundamental: tejados con poca capacidad de carga, fachadas, parasoles, e incluso superficies curvas, etc.




Con la ayuda de materiales polimricos en ausencia de plomo, la capa frontal tiene una extraordinaria flexibilidad de flexin y un radio de curvatura mnimo de 25 cm, lo que ampla enormemente la aplicacin y las posibilidades produciendo un material ecolgico.



El nuevo mdulo semi flexible ha obtenido el certificado de TUV. La degradacin del primer ao es inferior al 2% y la potencia lineal de salida se garantiza por encima del 82% en 25 aos.





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